La compañía surcoreana ha desvelado que sus planes a medio plazo pasan por conseguir fabricar sus primeros chips a 4 nanómetros a lo largo de 2020 en cantidad suficiente como para satisfacer al mercado. ¿Será posible que lo consiga en menos de 3 años?
Queda claro, por tanto, que Samsung pretende abandonar la fabricación a 10 nm en favor de tamaños más reducidos de forma paulatina siguiendo una estudiada y planificada estrategia que afecta tanto a los equipos de ingeniería como a los procesos y cadenas de fabricación de sus factorías.
De forma paulatina veremos como en primer lugar se cesa la fabricación en 10 nm para dar paso a 8 nm, después a 7 nm con el uso de litografías tipo EUV (Ultra Violeta Extrema) de 250W. Dicho proceso de fabricación aún no es rentable para Samsung pero desde la compañía señalan que es cuestión de tiempo que consigan mantener un flujo constante y reducir costes.
Perfeccionando la misma técnica llegarán hasta los 6 nm y 5 nm, tamaño que marca el límite actual para la arquitectura FinFET que, por ejemplo, se utiliza en la fabricación de chips para tarjetas gráficas. Para dar el paso a la primera generación de 4 nm, Samsung debe hacer uso de MBCFETMT (Multi Bridge Channel FET) de tipo GAAGET (Gate All Around FET).
